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数量:6017 |
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| 规格书 |
 BSZ100N03MS G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 40A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 30W |
| 匹配代码 | BSZ100N03MS G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 4.1K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TSDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 21 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 8.3nC |
| LLRDS （上） | 0.013Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 40A |
| V（ DS ） | 30V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.01Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 标准包装 | 5,000 |
| 供应商设备封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.1 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1700pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSZ100N03MSGINCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 3.4 x 3.4 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 3.4mm |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| 最大漏源电阻 | 11.4 mΩ |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 8.3 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 1300 pF V @ 15 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 典型导通延迟时间 | 3.8 ns |
| 宽度 | 3.4mm |
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